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J-GLOBAL ID：200903008724814936

半導体レーザ起爆方法及びその装置

Inventor： 生田 一成
Applicant, Patent owner： 株式会社日本製鋼所
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992001550
Publication number (International publication number)：1993187798
Application date： Jan. 08, 1992
Publication date： Jul. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、半導体レーザ起爆方法及びその装置に関し、特に、漏洩電流や雷等の静電気障害による誤爆を防止することを特徴とする。【構成】 本発明による半導体レーザ起爆方法及びその装置は、複数の半導体レーザ(6)からのレーザ光を収束させて得た収束光をオプティカルファイバ(13)を介して起爆剤(15)に導き、前記起爆剤(15)を点火させる構成である。

Claim (excerpt)：

複数の半導体レーザ(6)からのレーザ光を収束させて得た収束光をオプティカルファイバ(13)を介して起爆剤(15)に導き、前記起爆剤(15)を点火させることを特徴とする半導体レーザ起爆方法。

IPC (3)：

F42B 3/113 ,  H01S 3/00 ,  H01S 3/18