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J-GLOBAL ID：200903008734280891

半導体リレー

Inventor： 仲矢 実
Applicant, Patent owner： 横河電機株式会社
Agent (1)： 小沢 信助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991035946
Publication number (International publication number)：1993029908
Application date： Mar. 01, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】半導体リレーに関し、その目的は、フォトカプラのカップリング評価方法を工夫することにより外部端子の数を4本にしてパッケージサイズを小型にすることにある。【構成】発光ダイオードとフォトダイオードアレイよりなるフォトカプラと、ソース(ドレイン)が互いに接続されるとともに該接続点には前記フォトダイオードアレイのカソードが接続され各ゲートには前記フォトダイオードアレイのアノードが接続された2個のFETと、前記発光ダイオードのアノード及びカソードにそれぞれ接続された第1,第2の外部端子と、前記2個のFETの各ドレイン(ソース)にそれぞれ接続された第3,第4の外部端子とで構成する。

Claim (excerpt)：

発光ダイオードとフォトダイオードアレイよりなるフォトカプラと、ソース(ドレイン)が互いに接続されるとともに該接続点には前記フォトダイオードアレイのカソードが接続され、各ゲートには前記フォトダイオードアレイのアノードが接続された2個のFETと、前記発光ダイオードのアノード及びカソードにそれぞれ接続された第1,第2の外部端子と、前記2個のFETの各ドレイン(ソース)にそれぞれ接続された第3,第4の外部端子、とで構成されたことを特徴とする半導体リレー。

IPC (2)：

H03K 17/78 ,  H01L 31/12