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J-GLOBAL ID：200903008742527332

半導体集積回路装置

Inventor： 久保埜 昌次
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 徳若 光政
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1990412110
Publication number (International publication number)：1994325568
Application date： Dec. 19, 1990
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 比較的広範囲の電源電圧に対して安定した基準電圧を得ることのできる基準電圧発生回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。【構成】 ゲートとソース間に定電圧を受けて定電流を形成する第1のMOSFETと同じ構造のMOSFETを用い、それに上記定電流を流すとともにダイオード形態にして1ないし複数個を直接接続し、これら1ないし複数の直列MOSFETにおけるゲート,ソース間電圧を出力基準電圧として用いる。【効果】 上記1ないし複数個の直列MOSFETのそれぞれのゲート,ソース間電圧は、上記定電流を形成する第1のMOSFETのゲート,ソース間に供給される定電圧と等しくなるからそれと同じか整数倍された出力基準電圧を得ることができる。

Claim (excerpt)：

ゲートとソース間に定電圧を受けて定電流を形成する第1のMOSFETと、上記第1のMOSFETと同じ構造のMOSFETであって上記定電流を流すようにされたダイオード形態の1ないし複数の直列MOSFETとを含み、上記1ないし複数の直列MOSFETによるゲート,ソース間電圧を出力基準電圧とする基準電圧発生回路を備えてなることを特徴とする半導体集積回路装置。