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J-GLOBAL ID:200903008756182524

表示装置及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998047565
Publication number (International publication number):1999251069
Application date: Feb. 27, 1998
Publication date: Sep. 17, 1999
Summary:
【要約】【課題】 表示画素の開口率を向上させるとともに、EL素子を駆動するTFTのサイズや駆動能力の決定に自由度の増大が図れる表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板1上に、薄膜トランジスタと、陽極18、薄膜トランジスタのソース10sと接続した陰極13を備えており薄膜トランジスタによって駆動されるEL素子と、を順に積層してなる表示画素を備え、EL素子の発光光を基板1側とは反対の方向から外部に放出させる。
Claim (excerpt):
基板上に、ソース電極及びドレイン電極を備えた薄膜トランジスタと、陰極、陽極及び該両電極の間に挟持された発光素子層から成り前記薄膜トランジスタによって駆動されるエレクトロルミネッセンス素子と、が順に積層されて成る表示画素を備え、前記エレクトロルミネッセンス素子の発光光が前記基板側とは反対の方向から外部に放出されることを特徴とする表示装置。
IPC (3):
H05B 33/26 ,  G09F 9/30 ,  H05B 33/10
FI (3):
H05B 33/26 A ,  G09F 9/30 B ,  H05B 33/10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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