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J-GLOBAL ID：200903008761354023

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 望月 和浩 ,  田上 知紀 ,  増田 宏 ,  堀内 勝忠 ,  三島 友義 ,  中村 徹
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993276484
Publication number (International publication number)：1994252163
Application date： Nov. 05, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高性能で信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 低抵抗の化合物多結晶半導体を半導体装置の低抵抗層に用いる。また、上記化合物多結晶半導体の形成を、基板温度450°C以下、3族元素に対する5族元素の入射分圧比を50以上とした分子線エピタキシー法、有機金属気相エピタキシー法、あるいは有機金属分子線エピタキシー法のいずれかにより行う。【効果】 低抵抗化合物多結晶をヘテロ接合バイポーラトランジスタのベース引き出し層に用いた場合、コレクタ上に設けられた絶縁膜上に該ベース引き出し層を形成できるのでベース・コレクタ間容量が低減でき、高速化が図れる。

Claim (excerpt)：

抵抗率が0.04Ωcm以下の化合物多結晶半導体からなる導電層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/80 H