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J-GLOBAL ID：200903008768226110

LiGaO2 単結晶体,単結晶基板,およびそれらの製造方法

Inventor： 石井 隆生 ,  宮澤 信太郎 ,  田雑 康夫
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998015389
Publication number (International publication number)：1998324597
Application date： Jan. 28, 1998
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ガリウム酸リチウム単結晶基板に、転移密度が低減された窒化ガリウム系半導体エピタキシャル薄膜を、均一に形成できるようにする。【解決手段】 引き上げ条件をb軸及びa軸方向の所定の振れ角の範囲において、単分域のガリウム酸リチウム単結晶104a,104bが育成する。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法によって製造されたLiGaO2 単結晶体であって、その引き上げ方向にb軸(010)方向から30度の角度範囲である結晶軸を持ったことを特徴とするLiGaO2 単結晶体。

IPC (4)：

C30B 29/22 ,  C30B 15/36 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (4)：

C30B 29/22 Z ,  C30B 15/36 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18