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J-GLOBAL ID：200903008771887933

光起電力素子

Inventor： 矢島 孝博 ,  金井 正博
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 渡辺 敬介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001027680
Publication number (International publication number)：2002231985
Application date： Feb. 05, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：

【要約】【課題】 光電変換効率の低下や光劣化率の増大を防止しつつ、導電半導体層の作製時間を短縮し、より低価格の光起電力素子を提供する。【解決手段】 基板101上に、非単結晶半導体からなる第1の導電型半導体層102、実質的に真性な半導体層105、および第2の導電型半導体層106が順次積層された構成を有する光起電力素子において、第1の導電型半導体層102を非晶質半導体で構成し、第1の導電型半導体層102と実質的に真性な半導体層105との間に、非晶質を多く含む第1微結晶半導体103を最初に形成し、その後、第1の導電型半導体層102および第1微結晶半導体103より低い成膜速度で第2微結晶半導体104を形成したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に、少なくとも1つの非単結晶半導体からなる第1の導電型半導体層、実質的に真性な半導体層、および第2の導電型半導体層が順次積層された構成を有する光起電力素子において、前記第1の導電型半導体層を非晶質半導体で構成し、該第1の導電型半導体層と前記実質的に真性な半導体層との間に、非晶質を多く含む第1微結晶半導体を最初に形成し、その後、前記第1の導電型半導体層および前記第1微結晶半導体より低い成膜速度で第2微結晶半導体を形成したことを特徴とする光起電力素子。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  C23C 16/24

FI (2)：

C23C 16/24 ,  H01L 31/04 B

F-Term (28)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030AA20 ,  4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BB04 ,  4K030BB12 ,  4K030CA02 ,  4K030CA17 ,  4K030FA03 ,  4K030GA14 ,  4K030HA04 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA12 ,  4K030JA16 ,  4K030KA30 ,  4K030LA16 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA15 ,  5F051CA22 ,  5F051CB15 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17 ,  5F051FA04 ,  5F051GA02 ,  5F051GA06