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J-GLOBAL ID：200903008773723571

集束荷電ビーム装置および加工観察方法

Inventor： 岩崎 浩二 ,  足立 達哉 ,  一宮 豊 ,  皆藤 孝
Applicant, Patent owner： セイコー電子工業株式会社
Agent (1)： 林 敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993019059
Publication number (International publication number)：1994231720
Application date： Feb. 05, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 特定箇所の透過電子顕微鏡(TEM)用試料作製を簡単でより最適な形状に加工し、その場で試料薄膜の厚さを確認する。【構成】 イオンビーム2を試料4に照射し、エッチング加工でTEM試料作製をする。電子ビーム7を試料断面対して横方向から照射し、二次電子・反射電子・X線・透過電子をそれぞれの検出器5,9,10,11で検出し、試料の加工状態を確認する。また、これらの信号強度は試料薄膜の厚さによって変化するため、信号強度をモニターすることにより、その場で試料薄膜の厚さの推定ができる。

Claim (excerpt)：

被加工試料表面を走査する集束イオンビーム光学系と電子ビーム光学系と、試料を移動する試料ステージと、前記イオンビームおよび電子ビーム照射による前記試料からの二次信号を捕らえる検出器を備えた集束荷電ビーム装置において、前記イオンビームおよび電子ビームが、前記試料表面に対してそれぞれ垂直および水平方向から試料に照射するように、イオンビームおよび電子ビーム照射系と前記試料ステージを配置され、薄膜加工された試料断面に対して電子ビームを直角に照射し、試料を透過した電子ビームを検出する検出器を備えたことを特徴とする集束荷電ビーム装置。

IPC (3)：

H01J 37/30 ,  H01J 37/244 ,  H01J 37/28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-076437
  
• 特開昭64-076659
  
• 特開平3-020948