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J-GLOBAL ID：200903008780591001

低温焼成多層回路基板外部導体用ペースト

Inventor： 横山 明典
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992287558
Publication number (International publication number)：1994139813
Application date： Oct. 26, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】 一般式Agx Cu1-x (ただし、0.01≦x≦0.4、原子比)で表され、粒子表面の銀濃度が平均の銀濃度の2.1倍以上であり、粒子表面に向かって銀濃度が増加する領域を有する、平均粒子径が0.1〜20μmであり、且つ20μm以下の粉末の存在割合が90%以上であることを特徴とする銅合金粉末100重量部に対して、平均粒子径0.1〜10μmで且つ15μm以下の存在割合が90%以上であるガラスフリット0.1〜30重量部と有機ビヒクルからなる低温焼成多層回路基板外部導体用ペースト、及び該組成ペーストを内部導体が銀、銀-パラジウム、銀-白金、金から選ばれた1種以上である低温焼成多層基板の外部導体として印刷し、焼成させてなる低温焼成多層回路基板。【効果】 耐マイグレーション性、高い接着性、耐酸化性のみならず、内部導体との優れた電気的接合を有する高密度化が可能な多層回路基板である。

Claim (excerpt)：

一般式Agx Cu1-x (ただし、0.01≦x≦0.4、原子比)で表され、粒子表面の銀濃度が平均の銀濃度の2.1倍より高く、且つ粒子表面に向かって銀濃度が増加する領域を有する、平均粒子径が0.1〜20μmであり、且つ25μm以下の粉末が90%以上であることを特徴とする銅合金粉末100重量部に対して、平均粒子径0.1〜10μmで且つ15μm以下の粉末が90%以上であるガラスフリット0.1〜30重量部、有機ビヒクルからなることを特徴とする低温焼成多層回路基板外部導体用ペースト

IPC (5)：

H01B 1/16 ,  C09D 5/24 PQW ,  C22C 1/05 ,  H01B 1/00 ,  H05K 1/09