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J-GLOBAL ID：200903008780729917
ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
石田 敬 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995084472
Publication number (International publication number)：1996259388
Application date： Mar. 17, 1995
Publication date： Oct. 08, 1996
Summary：
【要約】【目的】 炭素粒子の混入のない、ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法を提供する。【構成】 常温で気体もしくは液体である炭素化合物を冷却固化させたターゲットにレーザー光を照射し、この照射により炭素化合物を分解して炭素をイオン化し、次いでこの炭素イオンを基板上に定着・結晶化することからなるダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法。
Claim (excerpt)：
常温で気体もしくは液体である炭素化合物を冷却固化させたターゲットにレーザー光を照射し、この照射により炭素化合物を分解して炭素をイオン化し、次いでこの炭素イオンを基板上に定着・結晶化することからなるダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
C30B 29/04 A
, C30B 23/08 Z
