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J-GLOBAL ID：200903008784030659

半導体レーザ素子

Inventor： 田中 俊明 ,  内田 憲治 ,  皆川 重量
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994317954
Publication number (International publication number)：1996181378
Application date： Dec. 21, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】短波長半導体レーザにおける特性を改善する。【構成】直接遷移Γ点エネルギが間接遷移X点エネルギに接近した材料により発光活性層が形成される短波長半導体レーザで、n型不純物ドープによって5×1018/cm3 以上の電子濃度を設定し、発光活性層の伝導帯の電子密度を過剰にするバンドフィリング効果を容易に引き起こさせる。このとき、発光活性層を多重量子井戸構造とし、不純物散乱の影響を受けないように、量子障壁層にn型不純物を変調ドープする。【効果】n型不純物をドーピングしない従来素子に比べて、閾値電流を2/3に、内部量子効率を2倍以上に改善させた高効率のレーザ素子を得た。

Claim (excerpt)：

半導体発光活性層において、間接遷移を示すXバンド構造に十分キャリアを充満させてバンドフィリング(Band Filling)効果を引き起こし、直接遷移Γバンド構造から前記間接遷移Xバンド構造へ移行するキャリアを抑制することにより、前記直接遷移Γバンド構造にキャリアが閉じ込められるバンド構造を形成し、前記バンド構造の前記直接遷移Γバンド構造から発光する遷移確率が増大してレーザ動作することを特徴とする半導体レーザ素子。