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J-GLOBAL ID：200903008796972595
レジストパターンの形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
米澤 明 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991267672
Publication number (International publication number)：1993107770
Application date： Oct. 16, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：
【要約】【目的】 レジストの裾部分での食い込み現象を防止し、断面が垂直なレジストパターンを形成する。【構成】 基板面に架橋密度が大きなレジストパターンが得られる第1のレジスト層を形成した後に、第1のレジスト層よりも架橋密度が小さなレジストパターンが得られる第2のレジスト層を少なくとも1層を形成し、基板上に多層のレジスト層を設けた後に露光することを特徴とするレジストパターンの形成方法であり、レジストとして化学増幅型レジストを用いる場合には、酸発生剤の濃度の大小で架橋密度の大小を調整することができる。
Claim (excerpt)：
基板上にレジストパターンを形成する方法において、基板面に架橋密度が大きなレジストパターンが得られる第1のレジスト層を形成した後に、第1のレジスト層よりも架橋密度が小さなレジストパターンが得られる第2のレジスト層を少なくとも1層を形成し、基板上に多層のレジスト層を設けた後に露光することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (3)：
G03F 7/26 511
, G03F 7/038 505
, H01L 21/027
