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J-GLOBAL ID：200903008803499256
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992010016
Publication number (International publication number)：1993195183
Application date： Jan. 23, 1992
Publication date： Aug. 03, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体素子電極をめっきにて製造する場合、現状は長時間の加工(2時間程度)が必要で、この時間短縮を行う。【構成】 半導体素子が形成されたウエハ1にめっき液5を吹き付け、このウエハ1と対向するカソード電極13と電流調整アノード電極8間に電流を流して素子電極を形成する際に、電流コントロール式直流電源10から高電流,低電流,逆電流を繰り返し流すようにした。
Claim (excerpt)：
半導体素子が形成されたウエハにめっき液を吹き付け、このウエハと対向する電極間に電流を流して電極を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記電極の形成時に高電流,低電流,逆電流を繰り返し流すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
C23C 2/14
, C23C 2/08
, C23C 2/10
, H01L 21/288
