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J-GLOBAL ID：200903008804290270
エピタキシャルウェーハおよびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
寺田 實
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992280118
Publication number (International publication number)：1994132229
Application date： Oct. 19, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 熱応力に起因するクロスハッチの少ないエピタキシャルウェーハを提供する。【構成】 InP基板1上にMOCVD法によりエピタキシャル層を成長させるに際し、InPウィンドウ層4の成長速度を1.0μm/hr以下とし、成長後300°Cまでの冷却速度を0.25°C/hr以下にして成長させる。
Claim (excerpt)：
ウェーハの外周からウェーハ直径の5%以上の領域にクロスハッチを有しないことを特徴とするInPエピタキシャルウェーハ。
IPC (3)：
H01L 21/205
, H01L 31/10
, H01L 33/00
