Pat
J-GLOBAL ID：200903008811060611

トランジスタ

Inventor：
伊藤 学

About 伊藤 学

, 
今 真人

About 今 真人

, 
石▲崎▼ 守

About 石▲崎▼ 守

, 
関根 徳政

About 関根 徳政


Applicant, Patent owner：
凸版印刷株式会社

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Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005302680
Publication number (International publication number)：2007115735
Application date： Oct. 18, 2005
Publication date： May. 10, 2007
Summary：
【課題】プラスチック基材からの脱酸素、脱水蒸気をガスバリア層で遮断することにより、特性の安定した、移動度やON/OFF比が高いレベルで維持されたトランジスタを提供すること。【解決手段】プラスチック基材上に設けられた酸化物半導体層と、該酸化物半導体層に電気的に接触して配列されたソース電極と、前記酸化物半導体層に電気的に接触すると共に前記ソース電極に離隔して配列されたドレイン電極と、前記プラスチック基材を真上から見たときに前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に位置する前記酸化物半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを備えたトランジスタの、プラスチック基材と酸化物半導体層の間にガスバリア層を設けて、プラスチック基材からの脱酸素、脱水蒸気が酸化物半導体層に行かないようにした。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
プラスチック基材の少なくとも一方の面上にガスバリア層を設けたガスバリア材と、前記ガスバリア層の上に設けられた酸化物半導体層と、該酸化物半導体層に電気的に接触して配列されたソース電極と、前記酸化物半導体層に電気的に接触すると共に前記ソース電極に離隔して配列されたドレイン電極と、前記プラスチック基材を真上から見たときに前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に位置する前記酸化物半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを備え、該ゲート電極に印加する電圧の有無によって、前記ソース電極と前記ドレイン電極との導通をオン又はオフするトランジスタであって、前記ガスバリア材の酸素透過率が3.5cc/m2・day・atm以下、水蒸気透過率が3g/m2/day以下であることを特徴とするトランジスタ。
IPC (1)：
H01L 29/786
FI (2)：
H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618B
F-Term (52)：
5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110AA21 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD06 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF33 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HK38 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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