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J-GLOBAL ID：200903008818796370

膜の作製方法および膜の改質方法

Inventor： 茶原 健一 ,  大野 俊之 ,  小園 裕三 ,  佐藤 健史 ,  亀井 光浩
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 富田 和子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994208791
Publication number (International publication number)：1996077845
Application date： Sep. 01, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 低抵抗、高透過率の透明導電膜の作製方法を提供すること。【構成】 錫添加酸化インジウム(ITO)膜、酸化インジウム膜あるいは酸化錫膜の作製中あるいは作製後に、He、Ne、Ar、Kr、Xeのうちの少なくとも1元素から成る粒子線を透明導電膜に照射する。粒子線のエネルギーは、成膜温度と、結晶化温度とに応じて決定する。結晶化温度との差が大きい場合には、粒子線のエネルギーを大きくする。結晶化温度との差が小さい場合には、粒子線のエネルギーを小さくする。

Claim (excerpt)：

膜の作製方法において該膜は、錫添加酸化インジウム膜、酸化インジウム膜または酸化錫膜であり、酸素ガスを含む雰囲気中で前記膜を成膜しつつ、該膜に、He、Ne、Ar、Kr、Xeのうちの少なくとも1元素から成る粒子線を照射すること、を特徴とする膜の作製方法。

IPC (3)：

H01B 13/00 503 ,  C23C 14/08 ,  H01B 5/14