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J-GLOBAL ID:200903008824162650

半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 井上 一 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998035417
Publication number (International publication number):1999220069
Application date: Feb. 02, 1998
Publication date: Aug. 10, 1999
Summary:
【要約】【課題】 熱ストレスを効果的に吸収することができる半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】 半導体チップ12と、半導体チップ12の電極14に電気的に接続されるとともに能動面12a内で上方に立ち上がって屈曲可能な形状をなす変形部20と、変形部20の先端に設けられる外部電極部22と、を有する。
Claim (excerpt):
半導体素子と、該半導体素子の電極に電気的に接続されるとともに能動面領域内で該能動面から所定長さ分延出して屈曲可能な形状をなす変形部と、該変形部に設けられる外部電極部と、を有する半導体装置。
IPC (3):
H01L 23/12 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 23/14
FI (4):
H01L 23/12 L ,  H01L 21/88 T ,  H01L 23/12 Q ,  H01L 23/14 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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