Pat

J-GLOBAL ID：200903008836447260

半導体装置

Inventor： 石橋 晃
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993303428
Publication number (International publication number)：1995135339
Application date： Nov. 09, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 仕事関数に大きな差が存在する金属と半導体との接合や接合界面において価電子帯または伝導帯に大きな不連続が存在する二種類のp型半導体同士の接合または二種類のn型半導体同士の接合に電流を流しやすくする。【構成】 仕事関数に大きな差が存在するp側電極3とp型半導体層1との接合の界面におけるp型半導体層1中に形成される空乏層内に、界面から順にドナーのδドープ層5およびアクセプタのδドープ層6から成る一対のδドープ層を界面に近接して設ける。また、接合界面において価電子帯に大きな不連続が存在する二種類のp型半導体同士の接合のいずれか一方に一対のδドープ層を界面に近接して設ける。さらに、接合界面において価電子帯に大きな不連続が存在する二種類のp型半導体同士の接合の界面の近傍にグレーディッド層を設け、このグレーディッド層の少なくとも一部をはさむように一対のδドープ層を設ける。

Claim (excerpt)：

金属と半導体との接合を有し、上記半導体がp型である場合には上記金属の仕事関数は上記半導体の仕事関数よりも小さく、上記半導体がn型である場合には上記金属の仕事関数は上記半導体の仕事関数よりも大きい半導体装置において、上記半導体がp型である場合には上記接合の界面の近傍における上記半導体中に形成される空乏層内に上記界面側から順に設けられたドナーのデルタドープ層およびアクセプタのデルタドープ層から成る一対のデルタドープ層を有し、上記半導体がn型である場合には上記接合の界面の近傍における上記半導体中に形成される空乏層内に上記界面側から順に設けられたアクセプタのデルタドープ層およびドナーのデルタドープ層から成る一対のデルタドープ層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 29/06 ,  H01S 3/18