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J-GLOBAL ID：200903008839325939

薄膜トランジスタ基板

Inventor：
木原 秀太

About 木原 秀太

, 
小黒 寛樹

About 小黒 寛樹

, 
毛戸 耕

About 毛戸 耕


Applicant, Patent owner：
三菱瓦斯化学株式会社

About 三菱瓦斯化学株式会社


Agent (1)： 永井 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001366316
Publication number (International publication number)：2003168800
Application date： Nov. 30, 2001
Publication date： Jun. 13, 2003
Summary：
【要約】【課題】プラスチックフィルムの基板上に薄膜トランジスタを形成することが求められているが、通常の成膜プロセスでは温度が高く、従来用いられている透明なプラスチックフィルムでは耐熱性が不充分であり使用できない。また、低温の成膜プロセスも提案されているが、特殊な技術であり高コストになる。【課題を解決するための手段】透明性および耐熱性に優れるポリイミドのフィルムからなる基板上に、通常の成膜プロセスを施す事により、薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板を得る。
Claim (excerpt)：
下記の一般式Iで示される繰り返し単位を有するポリイミドのフィルムからなる基板上に薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板。【化1】(式中、Rは炭素数4〜39の4価の脂肪族基であり、Φは炭素数1〜39の2価の脂肪族基または芳香族基である)
IPC (5)：
H01L 29/786 ,  C08G 73/10 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 310
FI (5)：
C08G 73/10 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 310 ,  H01L 29/78 626 C
F-Term (48)：
2H090JB03 ,  2H090JB05 ,  2H090JD01 ,  2H090LA01 ,  2H090LA04 ,  2H092JA24 ,  2H092KA05 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  4J043PA02 ,  4J043QB14 ,  4J043QB26 ,  4J043QB31 ,  4J043RA34 ,  4J043SA06 ,  4J043TA14 ,  4J043TA22 ,  4J043UA042 ,  4J043UA111 ,  4J043ZB50 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094EB10 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG45 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110NN04 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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