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J-GLOBAL ID：200903008844250440

II-VI族半導体発光素子

Inventor： 長野 克人 ,  吉田 篤至
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 三澤 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992243406
Publication number (International publication number)：1994097504
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、良好なオーム性接触を得ることが可能な電極を有するII-VI族半導体発光素子を提供する。【構成】 本発明のII-VI族半導体発光素子1は、p型の伝導型を有するII-VI族半導体の発光素子本体2と、この発光素子本体2のp型の伝導型内に拡散領域を形成するLi層7とAu、Ag、Ptから選ばれる金属又はこれらの合金の電極層とからなる電極3とを有する。この構成により、Li層7によりp型の伝導型内に拡散領域が形成され、p型の伝導型との間の接触特性が良好なオーム接触となる電極3を有するII-VI族半導体発光素子1を提供することができる。

Claim (excerpt)：

p型の伝導型を有するII-VI族半導体の発光素子本体と、この発光素子本体のp型の伝導型内に拡散領域を形成するLi層とAu、Ag、Ptから選ばれる金属又はこれらの合金の電極層とからなる電極とを有することを特徴とするII-VI族半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-187884
  
• 特開平1-313932
  
• 特開平1-187884
  
• 特開平1-313932