Pat

J-GLOBAL ID：200903008846028800

金属薄膜の形成方法

Inventor： 五十嵐 泰史
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993204188
Publication number (International publication number)：1995054162
Application date： Aug. 18, 1993
Publication date： Feb. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 体心立方構造の金属薄膜の抵抗を低減する。【構成】 下地10上に、スパッタ法によりCu薄膜12を積層し、然る後、薄膜12をアニールする。Cuは面心立方構造なので、アニールした薄膜12(以下、薄膜14)の主面14a は(111) 面に強く配向し、しかもその結晶粒径は大きくなる。この薄膜14上に体心立方構造の W薄膜16をエピタキシャル成長させる。薄膜14の配向性が強くかつ結晶粒径も大きいので、 W薄膜16の配向性も強くかつ結晶粒径が大きくなる。その結果、目的を達成できる。

Claim (excerpt)：

下地上にCu薄膜を積層する工程と、前記Cu薄膜をアニールする工程と、前記Cu薄膜上に金属薄膜をエピタキシャル成長させる工程とを含んで成ることを特徴とする金属薄膜の形成方法。