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J-GLOBAL ID：200903008848700904

低電力実装設計

Inventor： チャールズ ヒューイット
Applicant, Patent owner： ハリス コーポレイション
Agent (1)： 柏原 三枝子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999221075
Publication number (International publication number)：2000082816
Application date： Aug. 04, 1999
Publication date： Mar. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 消費電力の小さい半導体装置のパーケージを提供する。【解決手段】 コネクタ20は従来のリードフレームメタルシートに形成されたドレインコンタクト用のストラップ21を有する。シートはパンチされて、パワーMOSFET装着用の面と共にベントエッジタブコンタクト22,24を形成する。ベントエッジタブコンタクト22,24は、装着されている装置の背面側から、装置90の上側を含む面にドレイン電流を流す。

Claim (excerpt)：

第1及び第2の平面を有する半導体基板を具えるMOSFETにおいて、前記第1の平面にソース領域、チャネル領域及び、前記チャネル領域を覆う絶縁層を設け、前記第2の平面に当該第2の面をほぼ覆うように延在するドレイン領域を設け、前記第2の平面上に前記ドレイン領域をほぼ覆うドレインコンタクトを設けたことを特徴とするMOSFET。

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/60 ,  H01L 29/41

FI (4)：

H01L 29/78 652 L ,  H01L 21/60 ,  H01L 29/44 B ,  H01L 29/78 652 Q