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J-GLOBAL ID：200903008851617244
セラミック薄膜層の形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小倉 正明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999123043
Publication number (International publication number)：2000313970
Application date： Apr. 28, 1999
Publication date： Nov. 14, 2000
Summary：
(57)【課題】【課題】安全に簡単なプロセスで基板を連続加工できる10μm以下の薄いセラミック層を形成する薄膜層の形成方法を提供する。【解決手段】金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属硼化物、金属硫化物等のセラミックの粒径が100nm以下の超微粉末を風速が20m/sec以上の圧縮気体との混合流体として噴射することにより、金属、セラミック、ガラス、シリコンウェハー、水晶、化合物半導体、プラスチック等の表面へ膜厚が10μm以下のセラミック薄膜層を形成する。
Claim (excerpt)：
金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属硼化物、金属硫化物等のセラミックの粒径が100nm 以下の超微粉末を風速が20m/sec 以上の圧縮気体との混合流体として噴射することにより、金属、セラミック、ガラス、シリコンウェハー、水晶、化合物半導体、プラスチック等の表面へ前記セラミックを膜厚が10μm以下で付着させることを特徴とするセラミック薄膜層の形成方法。
F-Term (9)：
4K044AA01
, 4K044AA11
, 4K044AA16
, 4K044BA12
, 4K044BA18
, 4K044BA19
, 4K044CA23
, 4K044CA29
, 4K044CA51
