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J-GLOBAL ID：200903008857358992

半導体集積回路

Inventor：
重田 善弘

About 重田 善弘


Applicant, Patent owner：
富士電機株式会社

About 富士電機株式会社


Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996315779
Publication number (International publication number)：1998163335
Application date： Nov. 27, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：
【要約】【課題】プッシュプル型ドライバICの寄生電流を減じて、低消費電力化を図る。【解決手段】活性領域となるn形の島4、5にn+ 埋め込み領域3a、3bを形成し、このn+ 埋め込み領域3a、3bに達するようにn+ ドレインウォール領域6、7を形成する。n形の島4にはハイサイドトランジスタN2 となる横型のpチャネルMOSFETを形成し、n形の島5にはローサイドトランジスタN1 となる縦型のnチャネルMOSFETを形成する。ハイサイドトランジスタN2 側では、電源端子VDHとソース電極13および金属電極15が接続され、ドレイン電極14と出力端子DOが接続される。またローサイドトランジスタN1 側では、ドレイン電極21と出力端子DOとを接続し、ソース電極20と、p形の分離領域3a上に形成された金属電極22とグランド端子GNDとを接続する。
Claim (excerpt)：
ハイサイドトランジスタと、ローサイドトランジスタと、それらのトランジスタにそれぞれ逆並列に接続されたダイオードとを有するプッシュプル型出力回路を含む集積回路において、前記のハイサイドトランジスタとローサイドトランジスタとが分離領域で囲まれた活性領域に形成されることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3)：
H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H03K 19/0175
FI (2)：
H01L 27/06 102 A ,  H03K 19/00 101 F
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-269041   Applicant：シャープ株式会社
  • 特開平4-107865
  • 伝導度変調型MISFETを有する半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-044759   Applicant：富士電機株式会社

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