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J-GLOBAL ID：200903008872077142

細胞パターンの形成方法

Inventor： ネレス、ガブリエーレ ,  安田 章夫 ,  クノッル、ヲルフガング ,  オッフェンハウザー、アンドレアス ,  ヨン、チー コング ,  ラウアー、ラース
Applicant, Patent owner： ソニー インターナショナル (ヨーロッパ) ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ,  マックス プランク ゲゼルシャフト ツル フォルデルング デル ウィッセンシャフテン エー.ヴェー.
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001322549
Publication number (International publication number)：2002355031
Application date： Oct. 19, 2001
Publication date： Dec. 10, 2002
Summary：

【要約】【課題】 表面上での正確な細胞の成長を制御及び誘導可能とする。【解決手段】 細胞パターンを形成しようとする表面に細胞成長促進分子及び/又は細胞成長阻害分子を当該表面にパターン被着させることによって予備パターンする工程と、上記予備パターンされた表面上に細胞を培養することによって上記表面上に細胞パターンを形成する工程とを有し、上記細胞が全体組織である。

Claim (excerpt)：

細胞パターンを形成しようとする表面に、細胞成長促進分子及び/又は細胞成長阻害分子を当該表面にパターン被着させることによって予備パターンする工程と、上記予備パターンされた表面上に細胞を培養することによって、上記表面上に細胞パターンを形成する工程とを有し、上記細胞が全体組織であることを特徴とする表面への細胞パターンの形成方法。

IPC (3)：

C12N 5/06 ,  A61F 2/02 ,  A61L 27/00

FI (3)：

A61F 2/02 ,  A61L 27/00 U ,  C12N 5/00 E

F-Term (12)：

4B065AA90X ,  4B065BB19 ,  4B065BB25 ,  4B065BC41 ,  4B065BC50 ,  4B065CA44 ,  4C081BA12 ,  4C081BC01 ,  4C081CD34 ,  4C081EA01 ,  4C097BB01 ,  4C097MM04