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J-GLOBAL ID：200903008878791238

プラズマCVD法による堆積膜形成装置及び方法

Inventor： 片桐 宏之 ,  瀬木 好雄 ,  白砂 寿康
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 長尾 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996040607
Publication number (International publication number)：1997209157
Application date： Feb. 02, 1996
Publication date： Aug. 12, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】複数の原料ガス放出孔を有する原料ガス導入管と円筒状支持体とのバランスをとり、膜厚および膜質が均一な堆積膜を形成するプラズマCVD法による堆積膜量産装置および方法を提供する。【解決手段】真空気密可能な反応容器内に円筒状支持体を設置し、複数の原料ガス放出孔を有する堆積膜形成用原料ガス導入管により原料ガスを導入すると共に、放電エネルギー印加して堆積膜を形成する堆積膜形成装置及び方法において、前記設置された円筒状支持体の長手方向の距離に対する、前記原料ガス導入管の原料ガス放出孔の上端から下端までの原料ガス放出領域の距離、または、前記原料ガス導入管の上端の原料ガス放出から前記円筒状支持体の上端あるいは下端までの距離の関係を、それぞれ所定の範囲に設定して前記円筒状反応容器内の放電とガス流量の安定化を図り、堆積膜を形成するようにしたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

上壁、電極を兼ねる円筒状反応容器及び底壁で密封形成されてなる反応空間と、該反応空間内に円筒状支持体を設置する手段と、該円筒状支持体の同軸外周上に該円筒状支持体の長手方向に沿って設けられた複数の原料ガス放出孔を有する堆積膜形成用原料ガス導入管と、該原料ガスを励起させて励起種化するための放電エネルギー印加手段と、前記反応室内を排気する手段とからなるプラズマCVD法による堆積膜形成装置において、前記設置された円筒状支持体の長手方向の距離に対する、前記原料ガス導入管の原料ガス放出孔の上端から下端までの原料ガス放出領域の距離、または、前記原料ガス導入管の上端の原料ガス放出から前記円筒状支持体の上端あるいは下端までの距離の関係を、それぞれ所定の範囲に設定して前記円筒状反応容器内の放電とガス流量の安定化を図り、高画質化への対応が可能な均一性と画像欠陥の少ない光受容部材を形成したことを特徴とする堆積膜形成装置。

IPC (7)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 ,  G03G 5/08 105 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31 ,  H01L 31/08

FI (7)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 D ,  G03G 5/08 105 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/31 C ,  H01L 31/08 Q