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J-GLOBAL ID：200903008880432270

半導体集積回路装置及びその製造方法

Inventor： 浅井 昭喜 ,  榊原 純 ,  鈴木 愛美 ,  藤野 誠二
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996039953
Publication number (International publication number)：1997082814
Application date： Feb. 27, 1996
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 SOI(絶縁膜上半導体)構造を有する半導体集積回路装置にあって半導体基板内にpn接合を有する半導体素子が併せ形成される場合であれ、その拡散層からのリーク電流の発生を好適に防止する。【解決手段】 こうしたSOI構造を有する半導体集積回路装置は、例えばp型からなる半導体基板1上に埋め込み絶縁膜2を介して半導体層すなわちSOI層3が形成され、この形成されたSOI層3に対して、機能素子である半導体回路素子9A、9Bが更に形成されて構成される。また、これら素子9A、9Bの例えば保護トランジスタとして、半導体基板1内にn型拡散層15、16が形成されるMOSFET14が併せ形成されることがある。ここでは、この併せ形成されるMOSFET14の上記n型拡散層15、16を、半導体基板1よりも高濃度のp型拡散層20、21によってそれぞれ囲む。

Claim (excerpt)：

第1の導電型からなる半導体基板と、この半導体基板上に絶縁体層を介して形成された半導体層と、この半導体層に形成された第1の半導体回路素子と、前記半導体基板内に拡散層を有して形成される第2の半導体回路素子と、を具え、前記第2の半導体回路素子は、少なくとも前記半導体基板の表面においてその第2の導電型からなる拡散層が前記半導体基板よりも高濃度の第1の導電型からなる拡散層によって囲まれてなることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (7)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786

FI (6)：

H01L 27/08 321 B ,  H01L 27/12 Z ,  H01L 21/265 V ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/08 321 H ,  H01L 29/78 613 Z