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J-GLOBAL ID：200903008885315719
薄膜トランジスタの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992186475
Publication number (International publication number)：1994069236
Application date： Jul. 14, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 薄膜トランジスタを微細化し、チャンネルストッパの残膜を厚くして薄膜トランジスタの性能を向上する。【構成】 チャンネル部にアモーファスSi薄膜3を用い、その下に絶縁膜としてSiN2,4を用いている薄膜トランジスタのソース、ドレイン電極を形成する工程で、Ti6,Al7をその順に成膜し、レジストパターン9を形成する。BCl3,Cl2の2種の混合ガスまたはBCl3,Cl2,N2の3種の混合ガスを使用し、トータル流量に対しCl2流量比を30%以下で、圧力を1Torr以下に制御し、高周波を印加して3層膜Al/Ti/アモーファスSiをエッチングする。【効果】 塩素系ガスから発生した反応性イオンにより、下地膜SiNに対し選択性良く、レジストからのシフトの無い連続断面形状となる。
Claim (excerpt)：
チャンネル部にアモーファスSi薄膜を用い、その下に絶縁膜としてSiN,SiO2を用いている薄膜トランジスタのソース、ドレイン電極を形成する製造方法であって、Ti,Alをその順に成膜し、所望のレジストパターンを形成し、その後BCl3,Cl2の2種の混合ガスまたはBCl3,Cl2,N2の3種の混合ガスを使用し、その合計の流量に対しCl2流量比を30%以下で、多層膜Al/Ti/アモーファスSiをその順にドライエッチングすることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/302
, H01L 29/40
