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J-GLOBAL ID:200903008892806019
半導体装置およびその製造方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
作田 康夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001047545
Publication number (International publication number):2002252344
Application date: Feb. 23, 2001
Publication date: Sep. 06, 2002
Summary:
【要約】【課題】コレクタトップHBTにおける電流増幅率のコレクタサイズ依存性を低減する。【解決手段】コレクタトップヘテロ接合バイポーラトランジスタにおけるベース電極11がイオン打ち込みがなされていないベース層5の側面およびイオン打ち込みがなされた高抵抗寄生エミッタ領域14の表面に接するようにする。
Claim (excerpt):
コレクタトップヘテロ接合バイポーラトランジスタを有し、ベース層は高抵抗寄生エミッタ領域の全てを覆っていず、ベース電極は上記高抵抗寄生エミッタ領域上に存在し、かつ上記ベース層の側面と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (9):
H01L 29/737
, H01L 21/331
, H01L 21/28
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/8222
, H01L 27/06
, H01L 29/41
, H01P 1/00
FI (6):
H01L 21/28 Z
, H01P 1/00 Z
, H01L 29/72 H
, H01L 27/04 F
, H01L 27/06 101 D
, H01L 29/52
F-Term (87):
4M104AA05
, 4M104AA07
, 4M104BB06
, 4M104BB11
, 4M104BB15
, 4M104BB28
, 4M104CC01
, 4M104DD04
, 4M104DD34
, 4M104DD35
, 4M104DD37
, 4M104DD65
, 4M104DD68
, 4M104DD72
, 4M104DD78
, 4M104DD83
, 4M104DD91
, 4M104EE09
, 4M104EE16
, 4M104FF00
, 4M104FF02
, 4M104FF11
, 4M104FF13
, 4M104FF27
, 4M104GG00
, 4M104GG06
, 4M104GG18
, 4M104HH00
, 5F003AP04
, 5F003AP05
, 5F003BA11
, 5F003BA92
, 5F003BC08
, 5F003BC90
, 5F003BE02
, 5F003BE90
, 5F003BF06
, 5F003BF90
, 5F003BH01
, 5F003BH02
, 5F003BH07
, 5F003BH08
, 5F003BH18
, 5F003BH99
, 5F003BJ18
, 5F003BJ20
, 5F003BJ99
, 5F003BM02
, 5F003BM03
, 5F003BP21
, 5F003BP23
, 5F003BP32
, 5F003BP94
, 5F003BP96
, 5F003BS08
, 5F038AC05
, 5F038AC15
, 5F038AV05
, 5F038AZ03
, 5F038AZ06
, 5F038BE07
, 5F038BH16
, 5F038DF01
, 5F038DF02
, 5F038EZ02
, 5F038EZ04
, 5F038EZ20
, 5F082AA13
, 5F082AA25
, 5F082BA21
, 5F082BA35
, 5F082BA36
, 5F082BC03
, 5F082BC13
, 5F082BC18
, 5F082BC20
, 5F082CA02
, 5F082CA03
, 5F082DA02
, 5F082DA03
, 5F082EA09
, 5F082EA14
, 5F082EA18
, 5F082EA23
, 5F082FA20
, 5F082GA04
, 5J011CA15
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-106763
Applicant:株式会社東芝
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ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-345623
Applicant:日本電気株式会社
-
特開昭62-049661
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縦型構造トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-249400
Applicant:シャープ株式会社
-
特開昭63-157467
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半導体装置及びその実装方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-119946
Applicant:富士通株式会社
-
特開平4-025031
-
半導体装置およびその製造方法ならびに基板の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-102004
Applicant:株式会社日立製作所
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