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J-GLOBAL ID:200903008892806019

半導体装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 作田 康夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001047545
Publication number (International publication number):2002252344
Application date: Feb. 23, 2001
Publication date: Sep. 06, 2002
Summary:
【要約】【課題】コレクタトップHBTにおける電流増幅率のコレクタサイズ依存性を低減する。【解決手段】コレクタトップヘテロ接合バイポーラトランジスタにおけるベース電極11がイオン打ち込みがなされていないベース層5の側面およびイオン打ち込みがなされた高抵抗寄生エミッタ領域14の表面に接するようにする。
Claim (excerpt):
コレクタトップヘテロ接合バイポーラトランジスタを有し、ベース層は高抵抗寄生エミッタ領域の全てを覆っていず、ベース電極は上記高抵抗寄生エミッタ領域上に存在し、かつ上記ベース層の側面と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (9):
H01L 29/737 ,  H01L 21/331 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/41 ,  H01P 1/00
FI (6):
H01L 21/28 Z ,  H01P 1/00 Z ,  H01L 29/72 H ,  H01L 27/04 F ,  H01L 27/06 101 D ,  H01L 29/52
F-Term (87):
4M104AA05 ,  4M104AA07 ,  4M104BB06 ,  4M104BB11 ,  4M104BB15 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104DD04 ,  4M104DD34 ,  4M104DD35 ,  4M104DD37 ,  4M104DD65 ,  4M104DD68 ,  4M104DD72 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104DD91 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104FF00 ,  4M104FF02 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104GG00 ,  4M104GG06 ,  4M104GG18 ,  4M104HH00 ,  5F003AP04 ,  5F003AP05 ,  5F003BA11 ,  5F003BA92 ,  5F003BC08 ,  5F003BC90 ,  5F003BE02 ,  5F003BE90 ,  5F003BF06 ,  5F003BF90 ,  5F003BH01 ,  5F003BH02 ,  5F003BH07 ,  5F003BH08 ,  5F003BH18 ,  5F003BH99 ,  5F003BJ18 ,  5F003BJ20 ,  5F003BJ99 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F003BP21 ,  5F003BP23 ,  5F003BP32 ,  5F003BP94 ,  5F003BP96 ,  5F003BS08 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AV05 ,  5F038AZ03 ,  5F038AZ06 ,  5F038BE07 ,  5F038BH16 ,  5F038DF01 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ04 ,  5F038EZ20 ,  5F082AA13 ,  5F082AA25 ,  5F082BA21 ,  5F082BA35 ,  5F082BA36 ,  5F082BC03 ,  5F082BC13 ,  5F082BC18 ,  5F082BC20 ,  5F082CA02 ,  5F082CA03 ,  5F082DA02 ,  5F082DA03 ,  5F082EA09 ,  5F082EA14 ,  5F082EA18 ,  5F082EA23 ,  5F082FA20 ,  5F082GA04 ,  5J011CA15
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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