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J-GLOBAL ID：200903008899225763

導電膜、薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法

Inventor： 岡本 匡史 ,  中野 太郎 ,  青野 暁史
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岡田 和秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000256842
Publication number (International publication number)：2002076470
Application date： Aug. 28, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 電極リード層のパターニングの際に磁気抵抗効果素子にダメージを与えることがないようにする。実効的再生トラック幅を狭いものにする。【解決手段】 磁気抵抗効果素子15に対してオーバーラップ状態で電極リード層13を形成するに、電極リード層13の下地層12として六方格子型の結晶構造で(100)配向面をもつルテニウムで成膜し、そのルテニウムの下地層12の上に体心立方格子型の構造を持った低抵抗なタンタルをエピタキシャル成長をもって積層してタンタル導電層11となす。タンタル導電層11をハロゲンガスでエッチングするが、このときルテニウムの下地層12はエッチングされることがなく、下の磁気抵抗効果素子15がダメージを受けるのを防ぐ。次いで、ルテニウムの下地層12を酸素でエッチングする。磁気抵抗効果素子に流れるセンス電流は多く、その再生感度が良い。実効的再生トラック幅も狭くできる。

Claim (excerpt)：

下地層の上にタンタルの導電層を積層した構造の導電膜であって、前記下地層をルテニウムから構成してあるとともに、前記導電層を体心立方格子型の結晶構造を持つタンタルから構成してあることを特徴とする導電膜。

IPC (6)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/28 ,  H01L 43/12

FI (6)：

H01L 43/08 D ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/28 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R

F-Term (10)：

2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA09 ,  5D034DA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049CB01 ,  5E049DB02