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J-GLOBAL ID:200903008902355460

ハーフトーン位相シフトマスク、及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997175377
Publication number (International publication number):1999024231
Application date: Jul. 01, 1997
Publication date: Jan. 29, 1999
Summary:
【要約】【課題】 パターニングに寄与しない余分な光によるハレーションやレジストの膜減り等の発生を防止した、良好なパターンが得られるハーフトーン位相シフトマスクとその製造方法を提供する。【解決手段】 ?@露光光に対して透明な透明基板のみよりなる透過部1’と、該透過部の周囲にあり、露光光の位相をシフトさせるとともに露光光に対する透過率がたとえば3〜20%の半透過位相シフタ層からなる半透過位相シフト部2’と、該半透過位相シフト部の周囲の領域にD離間して形成した遮光部15を備えるハーフトーン位相シフトマスク。?A上記?@を得るのに、透明基板3上に少なくとも半透過位相シフタ層4及び遮光層5を順不同に積層成膜し、遮光層を半透過位相シフタ層よりも透過部に対して外側に後退させる工程を備える。
Claim (excerpt):
フォトリソグラフィ工程で用いられるフォトマスクにおいて、露光光に対して透明な透明基板のみよりなる透過部と、該透過部の周囲の該透明基板上にあり、露光光の位相をシフトさせるとともに露光光を半透過させる半透過位相シフタ層からなる半透過位相シフト部と、さらに該半透過位相シフト部の周囲の領域に遮光層により形成した露光光を完全に遮光するか乃至は該半透過位相シフタ層より透過率の低い遮光部とを備えることを特徴とするハーフトーン位相シフトマスク。
IPC (2):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (3):
G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

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