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J-GLOBAL ID：200903008905505340
超格子層を用いた半導体レーザ素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大塚 学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993260414
Publication number (International publication number)：1995099365
Application date： Sep. 27, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：
【要約】【目的】発振波長の選択範囲を短波長側に広げ、かつ作製の容易な、V族構成元素として砒素と燐を有するIII-V族混晶半導体を有する超格子を用いた半導体レーザ素子を提供することにある。【構成】活性層に近接した超格子の量子井戸層が砒素のみをV族構成元素としたIII-V族混晶半導体で形成され、かつその障壁層が燐のみをV族構成元素としたIII-V族混晶半導体で形成されることを特徴とする構成を有している。
Claim (excerpt)：
光が発光する活性層の積層方向において少なくとも片側に、量子井戸層と該量子井戸層より大なる禁制帯幅を有する障壁層とが複数交互に積層された超格子層が挿入された半導体レーザにおいて、該超格子層の量子井戸層が砒素のみをV族構成元素としたIII-V族混晶半導体で形成され、かつ該超格子の障壁層が燐のみをV族構成元素としたIII-V族混晶半導体で形成されることを特徴とする超格子層を用いた半導体レーザ素子。
Patent cited by the Patent：
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