p型III族窒化物半導体の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003150327
Publication number (International publication number)：2004356257
Application date： May. 28, 2003
Publication date： Dec. 16, 2004
Summary：

【課題】イオン注入したp型不純物の活性化率を高くして、キャリア濃度の高いp型III族窒化物半導体を実現する。【解決手段】本発明のp型III族窒化物半導体の製造方法は、III族窒化物半導体に、p型不純物としてベリリウム、マグネシウム、カルシウムの中から選択される少なくとも1つをイオン注入する工程と、前記III族窒化物半導体に前記イオン注入したp型不純物を活性化熱処理する工程と、前記III族窒化物半導体のうち前記イオン注入した領域に水素を導入する工程を有する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

III族窒化物半導体に、p型不純物としてベリリウム、マグネシウム、カルシウムの中から選択される少なくとも1つをイオン注入する工程と、前記III族窒化物半導体に前記イオン注入したp型不純物を活性化熱処理する工程と、前記III族窒化物半導体のうち前記イオン注入した領域に水素を導入する工程を有するp型III族窒化物半導体の製造方法。

IPC (2)：

H01L21/265 , H01L33/00

FI (3)：

H01L21/265 601A , H01L33/00 C , H01L21/265 F

F-Term (9)：

5F041AA44 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA47 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA71 , 5F041CA73

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

III族窒化物半導体の製造方法及びIII族窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-373823 Applicant：株式会社豊田中央研究所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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