低欠陥ダイヤモンド単結晶及びその合成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：内田明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995312579
Publication number (International publication number)：1997165295
Application date： Nov. 30, 1995
Publication date： Jun. 24, 1997
Summary：

【要約】【課題】 X線領域での分光結晶や、電子材料的な用途に効率よく用いることのできる、低欠陥でかつ歪みの少ないダイヤモンド単結晶を容易、確実に製造する方法を提供する。【解決手段】温度差法により、ダイヤモンドの種結晶上に新たなダイヤモンド結晶を育成するダイヤモンド単結晶の合成方法において、ダイヤモンドの種結晶に、結晶欠陥がないダイヤモンドの単結晶を用いることを特徴とする低欠陥ダイヤモンド単結晶の合成方法であり、更に場合に応じて低圧の非酸化性雰囲気中で1100〜1600°Cの温度で熱処理することを特徴とする方法である。これらの方法により、針状欠陥によるエッチピットが3×105 ケ/cm2 以下であるような、欠陥が少なく歪みも殆んどない良質なIIa型ダイヤモンド単結晶が得られる。

Claim (excerpt)：

針状欠陥によるエッチピットが3×105 ケ/cm2 以下であることを特徴とする無色透明な低欠陥IIaの型合成ダイヤモンド単結晶。

IPC (3)：

C30B 29/04 , B01J 3/06 , C30B 11/00

FI (3)：

C30B 29/04 U , B01J 3/06 R , C30B 11/00 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

特開平3-217225
特開平3-217225
ダイヤモンド単結晶の合成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-243135 Applicant：住友電気工業株式会社

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