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J-GLOBAL ID：200903008919868577

ダイヤモンド合成方法

Inventor： 栗原 和明 ,  井谷 司
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996021259
Publication number (International publication number)：1997208387
Application date： Feb. 07, 1996
Publication date： Aug. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 大面積の単結晶ダイヤモンドを気相により合成するダイヤモンド合成方法を提供する。【解決手段】 気相合成方法により単結晶基板上にダイヤモンド膜をエピタキシャル成長するダイヤモンド合成方法において、単結晶基板10上に発生するダイヤモンドの核18の方位方向が、単結晶基板10の方位方向とほぼ一致するように、単結晶基板10の面内の特定の方位方向に電流を流しながらダイヤモンドを合成する。

Claim (excerpt)：

気相合成方法により単結晶基板上にダイヤモンド膜をエピタキシャル成長するダイヤモンド合成方法において、前記単結晶基板上に発生するダイヤモンドの核の方位方向が、前記単結晶基板の方位方向とほぼ一致するように、前記単結晶基板の面内の特定の方位方向に電流を流しながらダイヤモンドを合成することを特徴とするダイヤモンド合成方法。

IPC (3)：

C30B 29/04 ,  C30B 25/02 ,  C30B 30/02

FI (4)：

C30B 29/04 C ,  C30B 29/04 P ,  C30B 25/02 Z ,  C30B 30/02