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J-GLOBAL ID：200903008935009738

レジスト組成物

Inventor： 曽根 篤
Applicant, Patent owner： 日本ゼオン株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997195065
Publication number (International publication number)：1999024274
Application date： Jul. 04, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 標準の現像液である2.38%テトラメチルアンモニウムハイドロオキシド水溶液で現像可能であり、かつ解像性に優れたレジスト組成物を提供する。【解決手段】 酸と反応して脱離する下式(1)で表されるオキシカルボニル構造を有する基を含有する高分子化合物(a)と、電離放射線露光により酸を発生する化合物(b)とを含有するレジスト組成物。

Claim (excerpt)：

酸と反応して脱離する下式(1)で表されるオキシカルボニル構造を有する基を含有する高分子化合物(a)と、電離放射線露光により酸を発生する化合物(b)とを含有するレジスト組成物。【化1】(式(1)中、pは0または1であり、R1およびR2は、それぞれ独立に炭素数1〜7の脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、シリル基、または極性基(アルコキシ基、シアノ基、またはアミノ基)で置換された炭素数1〜7の脂肪族炭化水素基であり、R3およびR4は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜7の脂肪族炭化水素基、アルコキシ基、シリル基、アルコキシカルボニル基、または極性基(ハロゲン原子、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、またはアミノ基)で置換された炭素数1〜7の脂肪族炭化水素基である。)

IPC (3)：

G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/28

FI (3)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 20/28 ,  H01L 21/30 502 R