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J-GLOBAL ID：200903008964957998

スパッタリングターゲット材およびその製造方法

Inventor： 井上 惠介 ,  福井 毅 ,  谷口 繁 ,  植村 典夫 ,  岩崎 克典
Applicant, Patent owner： 日立金属株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004102899
Publication number (International publication number)：2005290409
Application date： Mar. 31, 2004
Publication date： Oct. 20, 2005
Summary：

【課題】 成分偏析がなく、しかも塑性加工性のよいMo合金スパッタリングターゲット材を提供する。【解決手段】 Moを主体として、(Ti、Zr、V、Nb、Cr)から選択される金属元素Mを0.5〜50原子%含有するスパッタリングターゲット材において、スパッタ面に対して垂直方向の断面ミクロ組織における金属元素M粒の内部もしくは周囲に酸化物が形成されており、金属元素M粒の周囲に存在する酸化物をネットワークで結んで得られる金属元素M粒の最大面積が5.0mm2以下であるスパッタリングターゲット材である。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

Moを主体として、(Ti、Zr、V、Nb、Cr)から選択される金属元素Mを0.5〜50原子%含有するスパッタリングターゲット材において、スパッタ面に対して垂直方向の断面ミクロ組織における金属元素M粒の周囲に酸化物が形成されており、該金属元素M粒の周囲に存在する酸化物をネットワークで結んで得られる金属元素M粒の最大面積が1.0mm2以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット材。

IPC (7)：

C23C14/34 ,  B22F3/15 ,  B22F3/18 ,  B22F3/24 ,  C22C1/04 ,  C22C27/04 ,  C22F1/18

FI (8)：

C23C14/34 A ,  B22F3/15 G ,  B22F3/15 M ,  B22F3/18 ,  B22F3/24 F ,  C22C1/04 D ,  C22C27/04 102 ,  C22F1/18 C

F-Term (17)：

4K018AA22 ,  4K018AC01 ,  4K018BA03 ,  4K018BA09 ,  4K018BA20 ,  4K018BB04 ,  4K018BC12 ,  4K018CA23 ,  4K018EA16 ,  4K018FA03 ,  4K018FA06 ,  4K018HA10 ,  4K018KA29 ,  4K029DC03 ,  4K029DC04 ,  4K029DC07 ,  4K029DC09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• スパッタリングターゲット材及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-217485   Applicant：東京タングステン株式会社
• 配線形成用Mo-W材、配線形成用Mo-Wターゲットとその製造方法、およびMo-W配線薄膜
  Gazette classification：再公表公報   Application number：JP1994002095   Applicant：株式会社東芝
• 薄膜形成用スパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-129538   Applicant：日立金属株式会社

Cited by examiner (2)

• 薄膜形成用スパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-129538   Applicant：日立金属株式会社
• Mo系ターゲット材およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-210573   Applicant：日立金属株式会社