絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992297500
Publication number (International publication number)：1994151838
Application date： Nov. 09, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】集積回路装置内等に作り込むに適する横形の絶縁ゲートバイポーラトランジスタのラッチアップ耐量を向上する。【構成】ゲート22の下側のp形ベース層23の表面のチャネル領域に対して、p形ベース接続層25とn形ソース層26を含むエミッタ領域をn形バッファ層21とp形コレクタ層24を含むコレクタ領域と同じ側に配設し、チャネル領域を介してソース層26からn形の半導体領域12に入りコレクタ領域に流れる電子eの電流に応じてコレクタ領域から半導体領域12に注入されるホールの電流を表面流路hsを介してベース接続層25に引き抜いて内部流路hiを経由する電流成分を減少させ、内部流路hiからベース層23に流入する電流成分をソース層26の下側の低比抵抗のベース接続層25内に導くことによりラッチアップ発生を防止する。

Claim (excerpt)：

一方の導電形の半導体領域と、その表面から拡散された他方の導電形のベース層と、ベース層と一部が重なり合うようその一方側に拡散された他方の導電形のベース接続層と、ベース層およびベース接続層の表面から両層の境界を含む範囲内に浅く拡散された一方の導電形のソース層と、ソース層の他方側のベース層の表面を上側から覆うように配設されたゲートと、ベース接続層の一方側の半導体領域の表面から拡散された他方の導電形のコレクタ層とを備え、ベース接続層とソース層からエミッタ端子を, コレクタ層からコレクタ端子を,ゲートからゲート端子をそれぞれ導出してなることを特徴とする絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/784 , H01L 29/74

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平2-151070
特開昭62-189758
特開平2-007473

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