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J-GLOBAL ID：200903008977854063

二酸化シリコンおよび窒化ケイ素系膜の表面処理剤

Inventor： 立野 稔夫 ,  宮本 光雄 ,  北 直英 ,  石田 彰一
Applicant, Patent owner： 森田化学工業株式会社
Agent (1)： 藤田 邦彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994018994
Publication number (International publication number)：1995211707
Application date： Jan. 18, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】各種の二酸化シリコンおよび窒化ケイ素の共存する素子表面を同時にエッチング/洗浄したり、また、逆に選択的にエッチングすることができ、微細領域に至るまでムラのない均一な表面処理ができ、しかも、より積極的に薬液からの金属汚染を防止する機能を有する表面処理剤を得る。また、素子の表面処理後においても界面活性剤が残留しにくいものとする。さらに、毒性、爆発性等の危険性もなく、表面処理後の薬液の廃水処理時にCOD負荷、BOD負荷等水質を汚染することのない表面処理剤を得る。【構成】フッ化水素 (HF)、アンモニア (NH3)、過酸化水素 (H2O2) から選ばれた少なくとも一種からなる水溶液もしくは水に、CH3(CH2)3OCH2CH2COOH、C4H9O(CH2)3NH2、C2H5OCH2CH2OH 等の構造を有する有機化合物の少なくとも一種を各1〜200ppm の極低濃度で添加する。

Claim (excerpt)：

フッ化水素 (HF) 、アンモニア(NH3)、過酸化水素 (H2O2) から選ばれた少なくとも一種からなる水溶液もしくは水に、界面活性剤を添加した二酸化シリコンおよび窒化ケイ素系膜の表面処理剤であって、前記界面活性剤が以下の構造を有する有機化合物であり、少なくともその一種を各1〜200ppm 添加したものであることを特徴とする、二酸化シリコンおよび窒化ケイ素系膜の表面処理剤。界面活性剤の構造:R- (O-Cn H2n) m COOHR- (O-Cn H2n) m NH2R- (O-Cn H2n) m OH(式中、Rは炭素数1〜10の飽和炭化水素基、nは1、2もしくは3、mは1もしくは2を表す。)

IPC (7)：

H01L 21/308 ,  C09K 13/06 ,  C11D 1/06 ,  C11D 1/40 ,  C11D 1/72 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/306

FI (2)：

H01L 21/306 D ,  H01L 21/306 E