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J-GLOBAL ID：200903008998155734
薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992098805
Publication number (International publication number)：1993275452
Application date： Mar. 25, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 逆スタガー型の薄膜トランジスタにおいて、作製工程を簡略化する、あるいは得られる薄膜トランジスタの凹凸を減らすことを目的とする。【構成】 ゲイト絶縁膜上の半導体領域に選択的に不純物ドープをおこない、よって、ソース、ドレイン、チャネル形成領域を形成する工程、およびそれをレーザーアニールする工程を有する作製方法、あるいは、半導体領域にレーザードーピング法によって選択的に不純物ドーピングをおこなう工程を有する作製方法。
Claim (excerpt)：
絶縁基板上にゲイト電極を有し、ゲイト電極を覆ってゲイト絶縁膜を有し、該ゲイト絶縁膜に密着してアモルファスもしくは多結晶の半導体被膜を有するMIS型半導体装置において、該半導体膜は、実質的に真性な領域とNまたはPの導電型を有する領域とを有することを特徴とする薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 27/12
Cited by examiner (8)
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