Pat

J-GLOBAL ID：200903009002290386

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

Inventor： 新井 肇
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997239582
Publication number (International publication number)：1999087539
Application date： Sep. 04, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 フローティングゲート電極への電子の注入およびフローティングゲート電極からの電子の引抜きが容易でありかつデータが揮発しにくい不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置は、シリコン基板1と、シリコン基板1上にシリコン酸化膜3を介在させて形成したフローティングゲート電極4と、フローティングゲート電極4の一部分の上に層間絶縁膜5を介在させて形成したコントロールゲート電極6と、フローティングゲート電極4の他の部分の上に絶縁膜を介在させて形成した消去電極9とを備える。絶縁膜はシリコン窒化膜5bとシリコン酸化膜5aとを含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に第1の絶縁膜を介在させて形成したフローティングゲート電極と、前記フローティングゲート電極の一部分の上に第2の絶縁膜を介在させて形成したコントロールゲート電極と、前記フローティングゲート電極の他の部分の上に第3の絶縁膜を介在させて形成した消去電極とを備え、前記第3の絶縁膜はシリコン窒化膜とシリコン酸化膜とを含む、不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434