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J-GLOBAL ID：200903009016681272

電界効果型トランジスタ

Inventor： 西林 良樹 ,  藤森 直治
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 柴田 康夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991180899
Publication number (International publication number)：1993029610
Application date： Jul. 22, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 特性を向上するために、ゲート電極と動作層の間の介在層が薄くてもリーク電流の少ないFETを提供する。【構成】 動作層12がp型の半導体ダイヤモンドからできており、窒素、リン、硫黄、ヒ素、塩素、ケイ素およびゲルマニウムからなる群から選択された少なくとも1種の元素を1015〜1021cm-3の量で含有しているダイヤモンドからなる介在層13をゲート電極15と動作層12の間に挟んだ構造を有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

Claim (excerpt)：

動作層がp型の半導体ダイヤモンドからできており、窒素、リン、硫黄、ヒ素、塩素、ケイ素、ゲルマニウムおよびリチウムからなる群から選択された少なくとも1種の元素を1015〜1021cm-3の量で含有しているダイヤモンドからなる介在層をゲート電極と動作層の間に挟んだ構造を有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 311 B