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J-GLOBAL ID：200903009019920189

シリコン基体及び多孔質シリコンの形成方法及び半導体基体

Inventor： 玄地 裕
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994039388
Publication number (International publication number)：1995249583
Application date： Mar. 10, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】 多孔質を形成するためのシリコン基体を、高品質、低コストで容易に提供し、高品質で、任意の不純物濃度の多孔質シリコンを高歩留りで得る。【構成】 多孔質シリコンを形成するP型シリコン基体101において、前記シリコン基体101の前記多孔質シリコンを形成する表面側に、該基体裏面側のP型不純物濃度よりも低いP型不純物濃度のシリコンエピタキシャル成長層102が形成されていることを特徴とするシリコン基体。また、シリコン基体101表面に、該基体101裏面よりも低いP型不純物濃度のシリコンエピタキシャル成長層102を形成する工程と、前記シリコン基体101表面に陽極処理により多孔質シリコン103を生成する工程と、を有することを特徴とする多孔質シリコンの形成方法。

Claim (excerpt)：

多孔質シリコンを形成するP型シリコン基体において、前記シリコン基体の前記多孔質シリコンを形成する表面側に、該基体裏面側のP型不純物濃度よりも低いP型不純物濃度のシリコンエピタキシャル成長層が形成されていることを特徴とするシリコン基体。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C25D 11/34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭51-097981
  
• 特開昭51-097378