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J-GLOBAL ID：200903009023717975
不揮発性半導体記憶装置とその書き込み特性回復方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993291556
Publication number (International publication number)：1995122091
Application date： Oct. 28, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：
【要約】【目的】 EEPROMにおいて、書き込み/消去を繰り返すことによるトンネル酸化膜の劣化を修復してメモリの長寿命化を図る。【構成】 シリコン基板1を接地し、ドレイン領域7に電源電圧VCC(5V)を、制御ゲート5に高電圧VPP(10V)を印加して、トンネルゲート電極2に電圧ストレスをかけ、酸化膜2中にトラップされていた電子を浮遊ゲート3へ引き抜く。
Claim (excerpt)：
ソース領域およびドレイン領域を有し、それらの領域間のチャネル領域上に、第1のゲート絶縁膜、浮遊ゲート電極、第2のゲート絶縁膜および制御ゲート電極がこの順に積層された構造を有する電気的消去が可能なメモリセルを複数個備え、書き込みモード、読み出しモード、消去モードおよびストレス印加モードにて動作可能な不揮発性半導体記憶装置であって、ストレス印加モード時においては、チャネル電流が流れない状態にて前記第1のゲート絶縁膜に電圧ストレスを印加することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4)：
G11C 16/06
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 530 B
, G11C 17/00 309 F
, H01L 29/78 371
