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J-GLOBAL ID：200903009023767948
半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
諸田 英二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992177418
Publication number (International publication number)：1993339329
Application date： Jun. 11, 1992
Publication date： Dec. 21, 1993
Summary：
【要約】【構成】 本発明は、半導体素子の表面に直接又は他の絶縁層を介して、末端にアリナジック酸基(正式名:アリル-ビシクロ[2,2,1 ]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボン酸残基)をもつポリイミド樹脂の層を形成してなることを特徴とする半導体装置である。【効果】 本発明によれば、耐薬品性、密着性、耐湿性に優れ、特に半導体素子等の製造プロセスに使用される強フッ酸に対しても十分耐えるポリイミド樹脂膜が形成され、信頼性の高い半導体装置が得られる。
Claim (excerpt)：
半導体素子の表面に直接又は他の絶縁層を介して、次の一般式で示される【化1】(但し、式中R1 は 4価の有機基を、R2 は 2価の有機基をそれぞれ表す)アリナジック酸基末端ポリイミド樹脂の層を形成してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
C08F299/02 MRU
, C08G 73/10 NTF
, H01L 21/312
