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J-GLOBAL ID：200903009036181306

基板を異方性プラズマエッチングする方法および装置、および電子部品またはセンサー素子

Inventor： フランツ レルマー ,  アンドレア シルプ
Applicant, Patent owner： ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994113057
Publication number (International publication number)：1994349784
Application date： May. 26, 1994
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【構成】 基板へ向かって加速されたイオンを用いて基板表面を取り去る基板の異方性プラズマエッチング方法において、処理室(12)中でハロゲンまたはハロゲン化合物を含有するエッチングガス(40)と、ポリマー形成するモノマーを含有するパッシブガス(40)とを導入し、エネルギー入射装置(24)により励起させ、基板(20)または基板(20)を収容している電極(16)に、イオンが基板(20)上に当たる際に1〜40eVのエネルギーを示すような電圧を印加することを特徴とする基板を異方性プラズマエッチングする方法。【効果】 高いマスク選択性、高いエッチング速度およびマスクのアンダーカットのないエッチングのほぼ完璧な異方性が達成される。

Claim (excerpt)：

基板へ向かって加速されたイオンを用いて基板表面を取り去る基板の異方性プラズマエッチング方法において、処理室(12)中でハロゲンまたはハロゲン化合物を含有するエッチングガス(40)と、ポリマー形成するモノマーを含有するパッシブガス(40)とを導入し、エネルギー入射装置(24)により励起させ、基板(20)または基板(20)を収容している電極(16)に、イオンが基板(20)上に当たる際に1〜40eVのエネルギーを示すような電圧を印加することを特徴とする基板を異方性プラズマエッチングする方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-012915
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-271430   Applicant：日本電装株式会社