金属回路パターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001086875
Publication number (International publication number)：2002290013
Application date： Mar. 26, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】ポリイミド基材と金属回路部との密着強度が高くかつ金属回路の線間絶縁抵抗が高い金属回路パターン形成方法を提供する。【解決手段】ポリイミド基材1上にポリイミド樹脂前駆体層2を形成し、ポリイミド樹脂前駆体層2上に感光性樹脂3を塗布し、感光性樹脂3を露光・現像して非金属回路形成部6のポリイミド樹脂前駆体層2が露出された樹脂パターンマスク4を形成し、非金属回路形成部6のポリイミド樹脂前駆体層2を除去し、樹脂パターンマスク4を剥離し、次いで、水素供与体7の存在下において紫外線8を照射しメッキ下地核を形成した後、無電解メッキ処理によりメッキ下地金属層9を形成する下地金属層形成工程と、メッキ下地金属層9上に金属回路部5を形成するメッキ処理、ポリイミド樹脂前駆体層2を加熱イミド化してポリイミド樹脂層にするイミド化処理からなる金属回路形成工程とを有する。

Claim (excerpt)：

ポリイミド基材上にパラジウム化合物を含有するポリイミド樹脂前駆体溶液を塗布・乾燥させてポリイミド樹脂前駆体層を形成し、前記ポリイミド樹脂前駆体層上に感光性樹脂を塗布し、前記感光性樹脂を露光・現像して非金属回路形成部のポリイミド樹脂前駆体層が露出された樹脂パターンマスクを形成し、非金属回路形成部のポリイミド樹脂前駆体層を除去し、前記樹脂パターンマスクを剥離し、次いで、水素供与体の存在下において紫外線を照射しメッキ下地核を形成した後、無電解メッキ処理によりメッキ下地金属層を形成する下地金属層形成工程と、前記メッキ下地金属層上に金属回路部を形成するメッキ処理、前記ポリイミド樹脂前駆体層を加熱イミド化してポリイミド樹脂層にするイミド化処理からなる金属回路形成工程と、を有することを特徴とする金属回路パターン形成方法。

IPC (6)：

H05K 3/18 , C08K 3/10 , C08K 5/07 , C08L 79/08 , H05K 3/38 , H05K 3/46

FI (7)：

H05K 3/18 C , H05K 3/18 H , C08K 3/10 , C08K 5/07 , C08L 79/08 A , H05K 3/38 E , H05K 3/46 B

F-Term (50)：

4J002CM041 , 4J002EE046 , 4J002GQ02 , 5E343AA02 , 5E343AA18 , 5E343BB05 , 5E343BB24 , 5E343BB71 , 5E343CC04 , 5E343CC06 , 5E343CC07 , 5E343CC20 , 5E343CC22 , 5E343CC44 , 5E343CC48 , 5E343CC62 , 5E343CC73 , 5E343DD33 , 5E343DD43 , 5E343EE22 , 5E343ER01 , 5E343ER05 , 5E343ER08 , 5E343ER18 , 5E343GG02 , 5E343GG06 , 5E343GG08 , 5E346AA12 , 5E346AA15 , 5E346AA32 , 5E346AA51 , 5E346CC10 , 5E346CC16 , 5E346CC32 , 5E346CC52 , 5E346CC54 , 5E346DD03 , 5E346DD23 , 5E346DD24 , 5E346DD33 , 5E346DD47 , 5E346EE14 , 5E346EE18 , 5E346EE33 , 5E346EE35 , 5E346EE38 , 5E346GG17 , 5E346GG28 , 5E346HH11 , 5E346HH26

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