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J-GLOBAL ID：200903009041710805

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 平野 直人
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994263747
Publication number (International publication number)：1996125190
Application date： Oct. 27, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】ダメージの少い安定したソース・ドレイン領域の表面に定抵抗のシリサイド層を設け、且つシリサイド層とチャネル領域の半導体膜との直接のコンタクトを防ぎTFTの性能を向上させる。【構成】裏面露光によりゲート電極2に自己整合して形成したフォトレジスト膜6をマスクとして保護絶縁膜5を等方性エッチングし端面を傾斜させ、露光したi層4の表面にCrシリサイド層8を形成する。次に、イオン注入によりCrシリサイド層8および保護絶縁膜5の傾斜面を透過したリンイオン10でCrシリサイド層8のチャネル領域側端部より内側にn+ 層11を設けたソース・ドレイン領域を形成する。

Claim (excerpt)：

透明絶縁基板上に形成した遮光性のゲート電極と、前記ゲート電極を含む前記透明絶縁基板上に順次積層して形成したゲート絶縁膜および半導体膜と、前記ゲート電極に位置整合して前記半導体膜上に形成し膜厚が価電子制御可能な不純物イオンの注入飛程よりも大きく且つ端面が前記半導体膜に鋭角で接する傾斜面を有する保護絶縁膜と、前記保護絶縁膜以外の前記半導体膜の表面に形成した高融点金属シリサイド層と、前記半導体膜のチャネル領域から外側に離れた前記高融点金属シリサイド層上に前記高融点金属シリサイド層と一体化して形成した高融点金属膜からなるソース・ドレイン電極と、前記チャネル側の前記高融点金属シリサイド層の端部よりも内側の前記保護絶縁膜の傾斜面の下部を含む前記半導体層に不純物をドープして形成したソース・ドレイン領域を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 301

FI (2)：

H01L 29/78 616 N ,  H01L 29/78 616 S