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J-GLOBAL ID：200903009050862391

露光用マスクパターンの補助パターン自動発生方法

Inventor： 東内 圭一郎
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996110797
Publication number (International publication number)：1997297388
Application date： May. 01, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置の製造工程の露光用に設計されたマスクパターンの近傍にコンピュータを用いて自動的に所定の条件の補助パターンを発生させる方法を提供する。【解決手段】 設計されたマスクパターン(設計パターン)の外側に、予め設定された間隔を隔てて予め設定された幅の補助パターンを発生させる手順と、設計パターンの外側に、予め設定された幅で補助パターンの配置禁止領域を設定する手順と、補助パターンの配置禁止領域内ヘの侵入部分を削除して補助パターンを更新する手順と、補助パターンの外側に、他の補助パターンを排除する排他領域を予め設定された幅で設定する手順と、補助パターンの他の補助パターン及び他の補助パターンの排他領域ヘの侵入部分を削除して、補助パターンを更新する手順とを有する。

Claim (excerpt)：

半導体装置製造工程の露光用マスクパターンの補助パターン自動発生方法であって、設計された前記マスクパターン(設計パターン)の外側に、予め設定された間隔を隔てて予め設定された幅の補助パターンを発生させる手順と、前記設計パターンの外側に、予め設定された幅で前記補助パターンの配置禁止領域を設定する手順と、前記補助パターンの前記配置禁止領域内ヘの侵入部分を削除して前記補助パターンを更新する手順と、前記補助パターンの外側に、他の補助パターンを排除する排他領域を予め設定された幅で設定する手順と、前記補助パターンの他の補助パターン及び他の補助パターンの排他領域ヘの侵入部分を削除して、補助パターンを更新する手順と、を有することを特徴とする補助パターン自動発生方法。

IPC (3)：

G03F 1/08 ,  G06T 7/00 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 A ,  G06F 15/62 405 Z ,  H01L 21/30 502 P