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J-GLOBAL ID：200903009054690838

量子井戸光素子

Inventor： 坂野 伸治
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992298423
Publication number (International publication number)：1994152050
Application date： Nov. 09, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【構成】半導体レーザの活性層や光変調器の光吸収層に用いる量子井戸の障壁層に圧縮歪を用いた構造にする。この時、伝導帯1の電子11に対する障壁層の高さは無歪の障壁層を用いた場合に比べ、ΔEcだけ高くなる。価電子帯2の正孔12に対する障壁層の高さはΔEvhだけ低くなる。【効果】本発明によれば電子の量子サイズ効果が高まり、正孔の注入および引き抜きが容易にできるため、レーザの高速変調及び変調器の低電圧駆動を可能とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に第1のバンドギャップエネルギを持つ第1の半導体からなる井戸層とこれをはさむ前記第1の半導体よりも前記バンドギャップエネルギの大きな第2の半導体からなる障壁層を有する半導体装置において、前記障壁層を構成している前記第2の半導体が前記半導体基板の格子定数よりも大きな格子定数を有する組成で、前記半導体基板上にエピタキシャル成長することにより、面内方向に圧縮歪を受けていることを特徴とする量子井戸光素子。